据人民日报报道，专家称，中国在高端光电子器件部分关键技术研发取得突破：“这些研发项目有很多都是前瞻布局的，中兴通讯此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五国家研究计划中，都有相应的部署。”

4月16日，美国商务部公布，由于中兴通讯违反和解协议并作出虚假陈述，将禁止美国企业与公司进行交易长达7年。中兴通讯董事长殷一民表示，美国对中兴实施的禁令，或将导致公司进入休克状态。

（视觉中国）

据《人民日报》报道，十三五国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项专家组组长、中科院半导体所副所长祝宁华表示，中国近年来不间断地支持光电子领域的科技创新，投入大量资金引导大专院校、科研院所和企业，钻研对光电子芯片和模组的关键技术：“当前我国已掌握中低端光电子器件关键技术，具备生产能力，但产能不足。在高端光电子器件研发方面，一些关键技术取得突破性进展，研制成功的原型器件通过系统功能验证，某些关键技术达到国际先进水准。”

通过国家引导、地方和企业的参与

祝宁华说，在光传输和交换设备中，光器件要占百分之六七十的成本比重，当前中国无论在技术积累还是资金投入，以及高端核心人才的培养和储备，都具备一定基础条件：“只要国家选定面向未来资讯网路急需的1—2类核心关键光电子芯片，集中资源，从设计、研发、器件制备到封装测试进行综合布局，同时通过国家引导、地方和企业的参与，构建完善的光电子芯片加工工艺平台，相信高端芯片研发的短板能够在5年内得到缓解。”

相关研发项目已持续10年

据知，中国于2008年实施国家科技重大项目：“极大型积体电路制造装备及成套工艺”，官方称经十年发展，相关工艺水平提升了5代，成功研发并实现量产55、40 、28纳米三代成套工艺，于22、14纳米先导技术研发取得突破，并已研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水准。

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